НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ ЦЕНТР ФИЗИЧЕСКОГО
ИНСТИТУТА
ИМ. П.Н.ЛЕБЕДЕВА РАН И МИЭТ "КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И
НАНОТЕХНОЛОГИИ"
Основные
задачи:
разработка новых полупроводниковых
приборов и интегральных схем
на их основе;
подготовка специалистов
по современной микро- и наноэлектронике.
Направления
работ:
компьютерное моделирование
кинетических процессов в
квантовых приборах, являющихся
элементной базой наноэлектроники
гига- и терагерцового диапазонов
(резонансно-туннельные структуры,
полевые приборы на эффекте
управляемой туннельной передислокации
электронной плотности, приборы
на основе акустического
переноса заряда в квантоворазмерных
структурах);
проектирование квантовых
приборов и разработка схемотехнических
решений интегральных схем
на их основе; проектирование
интегральных схем на GaAs;
технология изготовления
квантовых приборов на основе
гетероструктур полупроводниковых
соединений группы А3В5 и
быстродействующих интегральных
схем на GaAs.
103498, Москва, Зеленоград, МИЭТ
тел: 532-9909, 532-8955, тел/факс: 530-8665